上认为，只有不断在制程线宽上做文章，才能把闪存做的更大，因为芯片面积想要做大难度很高，面积增加带来的成本上升曲线是陡峭的，非常划不来，所以只有采用最先进的线宽才能在同样大小的闪存颗粒上集成更多的存储单元。
但是我们应该明白，制程线宽的提升是很慢的，按照摩尔定律的升级速度，晶体管数量要18个月才能翻翻，也就是说闪存芯片的容量被摩尔定律锁住了。
这是不可以接受的！
至少对于我们这些搞技术的人来说是无法接受的！我们决不能被摩尔定律捆住手脚。”
此言一出，大家都愣住了，心说你胡一亭是牛，这我们承认，可你要挑战摩尔定律，这大话可就说的太离谱了，不提高线宽的前提下，你就是把设计做出花来，晶体管数量也还是那么多，怎么可能提高存储容量呢？
胡一亭知道大家的困惑，继续道：“其实方法是有的，我今天要介绍的就是我思考出的一种突破闪存容量上限的新技术。”
胡一亭切换ppt图片，“目前国际上有些专家也对此阐述过一些技术，我总结下来有三种，一种是质子非挥发性存储器；第二种是纳米存储器；第三种是单电子存储器。
我想说的是，这些都不靠谱，至少三十年内看不到商业应用的前景，因为无论从材料学还是从工程学角度，这些目前都是科幻里才能实现的技术，实验室里进行少量晶体管质子存储实验，或者用一两个碳纳米管验证可存储性能，或者用精密仪器实现单电子操纵，这都可以，但一到工程上就行不通了，大面积的工程应用做不出来就等于白说，现在谁都不知道要用怎样的设备和工艺去进行大规模制造，所以我们不要去考虑这些概念。”
胡一亭继续切换ppt，“目前我们能做的只有继续在fsh-memory技术上进行发展，继续依靠半导体器件的电荷俘获原理，通过改进传统的浮栅结构，发展与普通逻辑工艺相兼容的新技术。
我个人这次发明的这种新技术，我称之为multi-level-cell，简称mlc，而传统fsh-memory闪存工艺我称之为single-level-cell，简称slc。
顾名思义，这两者区别在于传统slc是单层式存储，而我发明的mlc技术是多层式存储。”
胡一亭说完，整个会议室骚动起来，大家的兴趣完全被他调动起来。
赵赫激动道：“胡总，这个多层存储究竟是怎么回事？是不是把两个芯片叠在一起做封装？这要怎么搞？”